Категории товаров
- Отладочные платы и наборы разработчика
- Корпуса и принадлежности
- Кабельные сборки
- Оптоэлектроника
- Силовая электроника
-
Пассивные компоненты
- Ферритовые фильтры
- Фильтры для ЭМС
- РЧ катушки индуктивности
- Перестраиваемые индукторы
- Индуктивности
- Парные индуктивности
- Трансформаторы
- Трансформаторы тока
- Синфазные дроссели
- Наборы индуктивностей для разработчика
- Антенны
- Экранирующие прокладки для ЭМС
- Многослойные керамические конденсаторы SMD/SMT
- Многослойные керамические конденсаторы MLCCs
- Пленочные конденсаторы
- Защищенные конденсаторы
- Твердотельные танталовые конденсаторы SMD
- Твердотельные танталовые конденсаторы
- Полимерные танталовые конденсаторы SMD
- Алюминиевые электролитические конденсаторы с резьбовыми клеммами
- Алюминиевые электролитические конденсаторы с жесткими выводами
- Электролитические конденсаторы
- Алюминиевые конденсаторы с органическим полимером
- Конденсаторы для электродвигателей
- Толстопленочные резисторы SMD
- Датчики, модули и системы
-
Соединители
- Фильтрующие соединители D-SUB
- Фильтрующие пластины и клеммы
- Аудио и видео соединители
- Межплатные и мезонинные соединители
- Краевые разъемы
- Цилиндрические соединители
- Соединители D-Sub
- Волоконно-оптические соединители
- Проводные клеммы и зажимы
- Соединители IEEE 1394
- Соединители для карт памяти
- Стандарт MIL / тип MIL
- Модульные соединители / соединители Ethernet
- Разъемы питания
- РЧ Соединители
- Клеммные колодки
- USB-коннекторы
- Высокоскоростные/модульные разъемы - Аксессуары
- Высокоскоростные/модульные разъемы - Контакты
- Разъемы DIN 41612
- Жесткие метрические разъемы
- Высокоскоростные/модульные разъемы - Корпуса
- Высокоскоростные/модульные разъемы
- Телефонные аксессуары
- Телефонные адаптеры
- Телефонные разъемы
- Сетевые адаптеры (ethernet)
- Разъемы PCI Express/PCI
- Цилиндрические соединители - Аксессуары
- СВЧ компоненты, RFIF и RFID антенны
- Материалы и оборудование
Асимметричные маломощные высокочастотные полевые n-канальные транзисторы с управляющим pn-переходом в миниатюрном корпусе КТ-46. ОКР шифр Алькатрон
ОКР ШИФР «АЛЬКАТРОН»
Компанией Радиант совместно с ООО «КРИП Техно» начаты работы по разработке полевых n-канальных транзисторов в корпусе КТ-46.
Ключевые особенности полевых транзисторов:
- Высокое входное сопротивление.
- Малый уровень собственных шумов.
- Низкая проходная емкость (емкость обратной связи)
- Высокая устойчивость к температурным и радиационным воздействиям.
- Изделия предназначены для автоматизированного поверхностного монтажа гибридных схем.
Ознакомьтесь с технической информацией данного производства
Запросить техническую информациюОсновные технические характеристики:
| Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) | Буквенное обозначение параметра | Норма параметра | Температура окружающей среды, °С | |||||||
| не менее | не более | |||||||||
| Литера | Литера | |||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 1 | 2 | 3 | 4 | |||
|
Ток утечки затвора, нА (-UЗИ =0,2 В, UСИ=0 В) |
IЗут |
10 103 10 |
10 103 10 |
10 103 10 |
10 103 10 |
25 125 -60 |
||||
|
Напряжение отсечки, В (UсИ =10 В, IС =10 мкА) |
UЗИ отс | Типовые значения | 25 | |||||||
| Литера 1 | Литера 2 | Литера 3 | Литера 4 | |||||||
| 0,8 тип. | 1,5 тип. | 2,2 тип. | 3,0 тип. | |||||||
|
Начальный ток стока, мА (UСИ =10 В, UЗИ =0 В) |
IС нач | 0,7 | 2,5 | 6,0 | 10,0 | 3,0 | 7.0 | 12,0 | 18,0 | 25 |
|
Модуль полной проводимости прямой передачи, мА/В (UСИ =10 В, UЗИ =0 В, f=1 кГц) |
|Y21И| |
2,5 1,2 2,5 |
4,0 2,0 4,0 |
4,0 2,0 4,0 |
7,0 3,5 7,0 |
25 125 -60 |
||||
|
Коэффициент шума, дБ (UСИ=10 В, UЗИ=0 В, UСИ=10 В, IС = 5 мА, f=100 МГц) |
Kш | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 25 | ||||
|
Входная емкость, пФ (UСИ=10 В, UЗИ=0 В UСИ=10 В, IС = 5 мА, f=1МГц) |
C11И | 5,0 | 5,0 | 5,0 | 5,0 | 25 | ||||
|
Выходная емкость, пФ (UСИ=10 В, UЗИ=0 В UСИ=10 В, IС =5 мА, f=1МГц) |
C22И | 3,0 | 3,0 | 3,0 | 3,0 | 25 | ||||
|
Проходная емкость, пФ (UСИ=10 В, UЗИ=0 В UСИ=10 В, IС = 5 мА, f=1МГц) |
C12И | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 25 | ||||
|
Активная составляющая выходной проводимости, мкА/В, (UСИ=10 В, UЗИ=0 В UСИ=10 В, IС =5 мА, f=1МГц) |
g22И | 60,0 | 80,0 | 100,0 | 120,0 | 25 | ||||
Эксплуатационные характеристики:
| Рабочий диапазон температур | - 60 °С … + 150 °С |
| Повышенная относительная влажность | 98 % при температуре 35 °С |
| Требования ВВФ | по группе 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 |
| Гамма процентная наработка до отказа транзисторов при γ = 95 % повышенной температуре + 150 °С | не менее 100 000 ч |
| Минимальный срок службы | не менее 25 лет |