Дифференциальный усилитель К5425УС1Н
Микросхема К5425УС1Н от АО «Радиант-ЭК» представляет собой бескорпусную дифференциальную пару n-p-n транзисторов, предназначенную для применений, где критично высокое согласование параметров двух транзисторов.
Ключевые характеристики:
- Тип: бескорпусная ИС (кристалл)
- Технология: два транзистора на одном кристалле с диэлектрической изоляцией
- Статический коэффициент передачи тока (h21E): ≥100
- Ток утечки между транзисторами: ≤10 нА
- Разброс коэффициентов передачи тока (отношение h21E1/h21E2): ≥0,92
- Разность прямых напряжений эмиттер-база (ΔVEB): ≤3 мВ
Основные преимущества:
- Высокая идентичность параметров транзисторов (включая ВЧ-характеристики)
- Минимальное влияние паразитных эффектов благодаря диэлектрической изоляции
- Не требует дополнительных схем смещения для разделения транзисторов
Области применения:
- Входные каскады операционных усилителей (для снижения дрейфа и шумов)
- Гибридные интегральные схемы (где требуется точное согласование транзисторов)
- Аналоговые схемы с высокими требованиями к симметрии (дифференциальные усилители, компараторы)
- Радиочастотные и прецизионные устройства
Аналоги и замена:
-
129НТ1В-1 (ХМ3.456.013ТУ, производство «RD ALFA», г. Рига)
Микросхема К5425УС1Н особенно востребована в высокоточной аналоговой технике, где важна термостабильность и минимизация разброса параметров.