К5425УС1Н КАПД.431129.001ТУ
Характеристики
Напряжение коллектор-база
—
20 В
Напряжение эмиттер-база
—
4 В
Напряжение коллектор-эмиттер
—
15 В
Ток коллектора
—
10 мА
Ток утечки между транзисторами
—
10 нА
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен при заказе оффлайн
К5425УС1Н КАПД.431129.001ТУ
К5425УС1Н представляет собой бескорпусную интегральную микросхему, содержащую дифференциальную пару согласованных n-p-n биполярных транзисторов. Их расположение на общем кристалле обеспечивает схожесть характеристик и стабильную работу на высоких частотах, без необходимости дополнительного смещения.
Является отечественным аналогом:
• 129НТ1В-1 ХМ3.456.013ТУ, «RD ALFA» (г. Рига)
Применение:
• Входные каскады операционных усилителей
• Гибридные интегральные микросхемы
• Блоки и сборки аналоговой электроники
Гарантийный срок:
• Эксплуатации – 12 месяцев с даты продажи
• Хранения – 6 лет
• Наработки на отказ – не менее 25000 часов
Является отечественным аналогом:
• 129НТ1В-1 ХМ3.456.013ТУ, «RD ALFA» (г. Рига)
Применение:
• Входные каскады операционных усилителей
• Гибридные интегральные микросхемы
• Блоки и сборки аналоговой электроники
Гарантийный срок:
• Эксплуатации – 12 месяцев с даты продажи
• Хранения – 6 лет
• Наработки на отказ – не менее 25000 часов
Характеристики
|
Напряжение коллектор-база
|
20 В |
|
Напряжение эмиттер-база
|
4 В |
|
Напряжение коллектор-эмиттер
|
15 В |
|
Ток коллектора
|
10 мА |
|
Ток утечки между транзисторами
|
10 нА |
|
Статический коэффициент прямой передачи тока
|
200 |
|
Отношение статических коэффициентов прямой передачи тока
|
0,92 |
Документы