АО «Радиант-ЭК» сообщает о начале серийного выпуска новой бескорпусной интегральной микросхемы дифференциального усилителя К5425УС1Н (КАПД.431129.001ТУ). Разработка предназначена для применений, где требуется высокая точность согласования параметров транзисторов.
Ключевые особенности:
- Два согласованных n-p-n транзистора на одном кристалле с диэлектрической изоляцией
- Высокая идентичность характеристик, включая ВЧ-диапазон
- Статический коэффициент передачи тока (h21Е) ?100
- Малый ток утечки (?10 нА) и разность напряжений база-эмиттер (?3 мВ)
- Минимальный разброс параметров (отношение h21E1/h21E2 ?0,92)
Основные области применения:
- Гибридные интегральные схемы
- Прецизионные операционные усилители
- Аналоговая и измерительная аппаратура
- Высокочастотные устройства
Аналог:
-
129НТ1В-1 (ХМ3.456.013ТУ, производство «RD ALFA», г. Рига)
Новая микросхема К5425УС1Н обеспечивает высокую стабильность и повторяемость параметров, что делает её идеальным решением для ответственных аналоговых и цифро-аналоговых систем.
АО «Радиант-ЭК» продолжает расширять линейку электронных компонентов, предлагая инновационные решения для современных радиоэлектронных устройств.
Контактная информация для заказов:
Телефон: +7 (495) 725?04?04Электронная почта: radiant@ranet.ru
