Микросхема К5425УС1Н КАПД.431129.001ТУ
Интегральная микросхема дифференциального усилителя
Описание:
Бескорпусная дифференциальная пара транзисторов включает в себя два согласованных по характеристикам n-p-n транзистора, которые максимально отделены друг от друга диэлектрической изоляцией и в схеме применения не требуют специального смещения для разделения.
Расположение транзисторов на одном кристалле обеспечивает максимальную идентичность характеристик транзисторов, в том числе и на высоких частотах.
Применение:
Бескорпусная микросхема К5425УС1Н может применяться везде, где требуется хорошее согласование характеристик двух транзисторов.
– гибридные интегральные микросхемы;
– сборки, блоки и аппаратура;
– входные цепи операционных усилителей
Особенности:
– статический коэффициент прямой передачи тока – не менее 100
– малый ток утечки между транзисторами (10 нА);
– малые отличия статических коэффициентов передачи тока (отношение не менее 0,92);
– малая разность напряжений эмиттер-база (не более 3 мВ)
Аналог: 129НТ1В-1 ХМ3.456.013ТУ, «RD ALFA» (г.Рига)
Электрические характеристики
Наименование параметра, единица измерения |
Буквенное обозначение |
Режим измерения | Норма параметра |
Температура среды, °С |
Примечание | |
не менее | не более | |||||
Обратный ток коллектора, нА |
IКБО |
UКБ = 20 В | - | 20 | 25 5 |
|
- | 20 | -60 3 | 1 | |||
- | 5000 | 125 5 | 1 | |||
Обратный ток эмиттера, нА |
IЭБО |
UЭБ = 4,0 В | - | 50 | 25 5 |
|
- | 50 | -60 3 | 1 | |||
- | 1000 | 125 5 | 1 | |||
Обратный ток коллектор-эмиттер, нА |
IКЭR | UКЭ = 15 В RБЭ= 10 кОм | - | 50 | 25 5 |
|
- | 50 | -60 3 | 1 | |||
- | 5000 | 125 5 | 1 | |||
Статический коэффициент прямой передачи тока |
h21Э | UКБ = 5,0 В IЭ = 0,05 мА | 200 | - | 25 5 |
|
100 | - | -60 3 | 1 | |||
200 | - | 125 5 | 1 | |||
Прямое напряжение эмиттер-база, В | UЭБ | UКЭ = 5,0 В IЭ = 1,0 мА | 0,55 | 0,75 | 25 5 |
|
Отношение статических коэффициентов прямой передачи тока |
h21Э1 / h21Э2 | UКБ = 5,0 В IЭ = 0,05 мА | 0,92 | - | 25 5 | 2 |
0,80 | - | -60 3; 125 5 | 1, 2 | |||
Модуль разницы прямых напряжений эмиттер-база, мВ | |UЭБ1- UЭБ2| | UКЭ = 5,0 В IЭ = 1,0 мА | - | 3 | 25 5 |
|
Ток утечки между транзисторами, нА |
IT1T2 |
UT1T2 = 25 В | - | 10 | 25 5 |
|
- | 10 | -60 3 | 1 | |||
- | 300 | 125 5 | 1 | |||
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте |
|h21Э| | UКЭ = 5,0 В IЭ = 3 мА f = 100 МГц | 4,5 | - | 25 5 |
|
Примечания 1) параметр подтверждается при сборке в корпус 3101.8. за h21Э1 принимается значение параметра транзистора микросхемы с меньшим статическим коэффициентом прямой передачи тока. | ||||||
Предельные значения допустимых электрических режимов эксплуатации
Наименование параметра режима, единица измерения | Буквенное обозначение | Норма | ||
не менее | не более | |||
Напряжение коллектор-база, В | UКБ | – | 20 | |
Напряжение эмиттер-база, В | UЭБ | – | 4 | |
Напряжение коллектор-эмиттер, Впри R3 ≤ 10 кОм | UКЭ | – | 15 | |
Напряжение между транзисторами, В | UT1T2 | – | 25 | |
Ток коллектора (постоянный или средний), мА | IК | – | 10 | |
Импульсный ток коллектора, мА, при τμ ≤ 30 мс | IК, И | – | 40 | |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, для интервала температур от (-60 до +70)* C° | PК | – | 15 | |
Примечание: * При температуре окружающей среды от +70 C° до +125 C° снижение мощности рассеивания рассчитывается по формуле: | ||||
Ррас = |
|
|
|
|
4 °С/мВт |
|
|
| |
Характеристики кристалла
Размер кристалла | 1,10 мм × 0,65 мм |
Размер площадки | 0,12 мм × 0,12 мм |
Металл на планарной стороне | Al–Si (1,4 мкм) |
Металл на обратной стороне | отсутствует |
Схема расположения выводов и укладка в тару
Номер вывода | Назначение вывода | Номер вывода | Назначение вывода | ||
м/сх | тары | м/сх | тары | ||
(Рис.2) | (Рис.3) | (Рис.2) | (Рис.3) | ||
6 | 1 | Эмиттер VT2 | 1 | 8 | Коллектор VT1 |
5 | 2 | База VT2 | 2 | 9 | База VT1 |
4 | 3 | Коллектор VT2 | 3 | 10 | Эмиттер VT1 |
Гарантий срок эксплуатации – 12 месяцев со дня розничной продажи в пределах гарантийного срока хранения.
Гарантийный срок хранения – 6 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка – не менее 25 000 ч в пределах гарантийного срока эксплуатации.