К5425УС1Н КАПД.431129.001ТУ

Описание

К5425УС1Н представляет собой бескорпусную интегральную микросхему, содержащую дифференциальную пару согласованных n-p-n биполярных транзисторов. Их расположение на общем кристалле обеспечивает схожесть характеристик и стабильную работу на высоких частотах, без необходимости дополнительного смещения.

Характеристики:
•    Напряжение коллектор-база: 20 В
•    Напряжение эмиттер-база: 4 В
•    Напряжение коллектор-эмиттер: 15 В
•    Ток коллектора: 10 мА
•    Ток утечки между транзисторами: 10 нА
•    Статический коэффициент прямой передачи тока: 200
•    Отношение статических коэффициентов прямой передачи тока: 0,92

Является отечественным аналогом:
•    129НТ1В-1 ХМ3.456.013ТУ, «RD ALFA» (г. Рига)

Применение:
•    Входные каскады операционных усилителей
•    Гибридные интегральные микросхемы
•    Блоки и сборки аналоговой электроники

Гарантийный срок:
•    Эксплуатации – 12 месяцев с даты продажи
•    Хранения – 6 лет
•    Наработки на отказ – не менее 25000 часов