Eng
Заказать семинар на предприятие
 
О КОМПАНИИ

 

Научно-производственная фирма "Микран" реализует сложные проекты в сфере высоких технологий на основе полного научно-производственного цикла: «исследования (научные и маркетинговые) - разработка - внедрение на рынок - сопровождение продукции» в области СВЧ радиоэлектроники.

 

Научно-производственная фирма «Микран» является Закрытым акционерным обществом. Год создания - 1991.

 

Предприятием сформированы и постоянно развиваются следующие направления научно-технологической и производственной деятельности, представленные на рисунке.

 

Благодаря выбранным перспективным научно-технологическим направлениям, высокому профессионализму и творческому потенциалу кадров, НПФ «Микран» за 20 лет существования превратилась в одну из ведущих фирм в области электроники СВЧ.

Системное развитие предприятия в отмеченных областях как вертикально-интегрированного комплекса с собственной разработкой и производством электронной компонентной базы СВЧ (ЭКБ СВЧ) обеспечивает НПФ «Микран» возможность достойно конкурировать с ведущими предприятиями отрасли, а по ряду факторов и превосходить их, работая на мировом уровне.

 

 

В НПФ «Микран» развернуто производство GaAs и GaN СВЧ монолитных интегральных схем (СВЧ МИС), а также дискретных транзисторов и диодов. Данные изделия предназначены для использования в телекоммуникационной и измерительной аппаратуре, выпускаемой фирмой, а также для удовлетворения нужд предприятий электронной отрасли РФ.

 

Производственная технологическая линия обеспечивает изготовление GaAs СВЧ МИС на основе pHEMT и mHEMT с длиной затвора 500, 250 и 150 нм, а также GaN HEMT с длиной затвора 250 и 150 нм. Проектная производительность линии составляет 100 пластин диаметром 100 мм в месяц.

 

НПФ «Микран» осуществляет полный цикл производства СВЧ МИС, включающий: проектирование гетероструктур, разработку технологий, проектирование МИС, производство МИС, СВЧ тестирование МИС, надёжностные испытания МИС.

В настоящее время ведётся разработка технологий производства GaAs СВЧ МИС на основе транзисторов с длиной затвора 100 нм и 70 нм, предназначенных для работы в частотном диапазоне до 300 ГГц.



 
Показать всех производителей
 

Вы нашли ошибку?

ГК «Радиант» © 1997-2017 | Электронные компоненты | Карта сайта |    
Видеоканал ГК Радиант на YouTube Rambler's Top100