Eng
Заказать семинар на предприятие
 

Изолированные DC/DC-преобразователи для питания IGBT и полевых транзисторов на SiC

Тигран Гайказьян, к. т. н.
gt@ranet.ru

 

Повышение надежности транзистора в силовой электронике

Быстрые IGBT до сих пор были последним словом в области силовой электроники, сочетая в себе все лучшее от полевых и биполярных транзисторов. Сегодня полевые транзисторы на базе карбида кремния (SiC) находят все более широкое применение в сложных условиях работы на повышенных частотах с одновременным снижением потерь на переключение и потерь проводимости. Обе технологии нуждаются в правильном управлении для обеспечения продолжительной работы без ложных срабатываний (коммутаций).
Применение IGBT- (кремниевый БТИЗ) и SiC-транзисторов (карбидокремниевый МОП- транзистор) достаточно широко распространено в силовой электронике. Это системы ветряных турбин, инверторов, систем управления электроприводом, различные системы электропитания.
Коммутационные потери SiC-транзистора в четыре раза ниже потерь традиционного IGBT. Отсутствие «хвоста» тока при отключении — ключевое преимущество SiC-транзистора, которое растет с ростом рабочей частоты переключения, что, в свою очередь, дает заметное увеличение эффективности и повышает целесообразность использования его, например, в мостовых схемах с увеличенной частотой коммутации. Так как частота работы увеличена, масса и габариты пассивных компонентов (индуктивности, конденсаторы) могут быть снижены. Поэтому, даже будучи более дорогим решением, SiC- компоненты все чаще встречаются на рынке силовой электроники...

 

Опубликовано в журнале Силовая электроника, № 1’2017Читать статью полностью...(PDF 299кб)

 

Вы нашли ошибку?

ГК «Радиант» © 1997-2017 | Электронные компоненты | Карта сайта |    
Видеоканал ГК Радиант на YouTube Rambler's Top100